Especialistas do setor esperam que a gigante coreana anuncie o início da fabricação em volume nos próximos dias, superando a rival TSMC na busca por produzir os chips mais avançados do mundo até agora. A Samsung pode começar produção em massa de chips de 3nm esta semana.
A Samsung tem grandes ambições para seu braço de semicondutores e é uma parte fundamental de seu plano de US$ 205 bilhões para conquistar a fabricação de chips, robótica, inteligência artificial e produtos biofarmacêuticos. Nada menos da metade desses fundos serão destinados a fábricas de chips avançados e à pesquisa e desenvolvimento de novos nós de processo e novos transistores.
No entanto, a gigante de tecnologia coreana teve muitos problemas de rendimento ao mudar para nós de processo menores que afetaram alguns de seus maiores clientes, como a Qualcomm, que agora está considerando o TSMC para futuros chips móveis. A Nvidia está indo com o TSMC para seus produtos de última geração depois de lidar com problemas de rendimento e eficiência energética relativamente baixa com GPUs Ampere, que são construídas no nó de processo de 8 nm da Samsung.
Com uma Intel rejuvenescida liderada por Pat Gelsinger, a concorrência está se intensificando na área de fabricação de semicondutores. A Samsung precisa vencer outras na corrida para a fabricação comercial de 3nm ou não conseguirá atrair grandes clientes como Nvidia, AMD, Apple e outros. A TSMC diz que começará a aumentar o volume de fabricação em um processo de 3 nm nos próximos meses, portanto, a janela de oportunidade é bastante pequena.
A Samsung sabe disso e está se esforçando para acompanhar a programação da TSMC. Mas enquanto a empresa planejava iniciar a produção de chips de 3 nm até o final deste mês, esse cronograma pode ter sido um pouco otimista demais. Em abril, os executivos da Samsung Foundry disseram aos investidores que a fabricação comercial começaria em questão de semanas, mas ainda não vimos uma atualização oficial sobre esse assunto.
Relatos da mídia local na Coréia do Sul revelam que a Samsung está se preparando para anunciar o início da fabricação em volume de 3nm, possivelmente ainda nesta semana. Esta seria uma grande demonstração de força contra a rival TSMC, e também significaria que a empresa coreana será a primeira a usar transistores de efeito de campo (GAAFET).
A Samsung chama sua implementação de transistores GAAFET de 3 nm de transistores de efeito de campo multi-bridge-channel, mas este é apenas um nome técnico para transistores que precisam de 50% menos energia, ocupam 45% menos espaço e podem operar de forma mais estável em tensões muito baixas.
O boato sussurra que a Samsung também garantiu seus primeiros clientes para o novo nó de processo, por isso será interessante ver se a empresa é capaz de evitar a repetição de seus erros de 8nm e 4nm. De qualquer forma, o negócio de fundição é um forte contribuinte para os resultados da Samsung, com mais da metade de seu lucro operacional – cerca de US$ 6,7 bilhões e troco – vindo da divisão de chips.
