A Samsung anunciou o início da produção em massa de chips de memória flash 3D V-NAND TLC da nova 8ª geração, escreve Tom’s Hardware. Os novos chips têm capacidade de 1 Tbps (128 GB) e supostamente consistem em 236 camadas, embora a própria Samsung não especifique esse aspecto. O fabricante só chama a nova memória flash com a maior densidade de bits do setor.
Os chips de memória flash Samsung 3D V-NAND TLC da 8ª geração são capazes de taxas de transferência de até 2400 MT/s e podem ser usados em SSDs de consumo PCIe 5.0 quando combinados com controladores avançados.
Segundo a Samsung, esses SSDs oferecerão velocidades de transferência de dados superiores a 12,4 GB/s.
A Samsung afirma que o uso da nova tecnologia de fabricação permitiu que mais memória fosse produzida a partir de uma única pastilha de silício, um aumento de 20% em comparação com os chips de memória flash anteriores com a mesma capacidade. Isso acabará reduzindo os custos de fabricação e pode significar SSDs mais baratos para os consumidores.
A empresa não divulga detalhes da arquitetura dos novos chips 3D V-NAND TLC de 8ª geração. De acordo com a Tom’s Hardware, como outros fabricantes, a Samsung obtém memória com mais de 200 camadas empilhando matrizes de 128 camadas.
No processo de “grinding in”, algumas das camadas são perdidas, o que não permite atingir o ideal na forma de chips NAND 3D de 256 camadas, mas ninguém se preocupa em se esforçar por isso. Então, no início deste ano, a Micron lançou chips 3D NAND com 232 camadas e SK hynix com 238 camadas.
Até agora, a Samsung não disse nada sobre os primeiros produtos baseados em novos chips de memória flash.
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