O lançamento do Intel Core Alder Lake de 12ª geração trouxe oficialmente o DDR5 para o mercado principal, dando aos usuários a opção de selecionar um DDR4 legado ou uma nova plataforma baseada em DDR5. Infelizmente, a escassez contínua de material e os atrasos no envio já tornaram a nova memória praticamente inexistente para a maioria dos consumidores. Apesar dos desafios de disponibilidade e maturidade da plataforma atual, a Samsung delineou planos futuros para a próxima geração de memória ultrarrápida, a DDR6.
DDR5 é atualmente o novo popstar. É maior, mais rápido (de alguma forma, pelo menos) e, infelizmente, muito difícil de encontrar.
Desde o lançamento do novo padrão DDR, e agora com as CPUs Alder Lake de 12ª geração da Intel, os entusiastas estão ansiosos para colocar as mãos em qualquer kit de memória DDR5 para aproveitar o aumento na velocidade e capacidade da memória.
Durante o Tech Day da Samsung deste ano, a empresa deu uma dica e revelou planos para o desenvolvimento de memória da próxima geração, que certamente chamará a atenção dos fanáticos por velocidade em todos os lugares.
A DDR5 dobrou a velocidade padrão JEDEC da DDR4 , aumentando de 3.200 megatransferências por segundo (MT / s) para 6.400 MT / s.
Embora ainda não seja aceito como um padrão JEDEC, a Samsung pretende dobrar novamente a velocidade padrão aceita com DDR6, aumentando para impressionantes 12.800 MT / s, com velocidades de overclock teóricas de até 17.000 MT / s.
O padrão está atualmente nos estágios iniciais de desenvolvimento e a aceitação está programada para algum tempo em 2024.
DDR6 não é o único novo padrão de memória no horizonte. A Samsung também fez alusão ao desenvolvimento do GDDR6 centrado em gráficos, com um padrão GDDR6 + planejado atingindo velocidades de até 24.000 MT / s.
A Samsung também está atrás de um de seus principais concorrentes, SK Hynix , que recentemente concluiu sua primeira execução de memória 3 de alta largura de banda (HBM3).
A Samsung planeja prosseguir com a produção de HBM3 já no segundo trimestre de 2022.
A memória HBM oferece aos usuários de computação de alto desempenho (HPC) uma alternativa mais rápida e eficiente em termos de energia, mas com preço mais alto, em relação à memória GDDR tradicional.
A geração anterior, HBM2, foi usada nas GPUs das séries Vega, Radeon VII e Radeon Pro da AMD, bem como algumas GPUs da Nvidia, incluindo Titan V e Quadro GP100.
Como o DDR5, o DDR6 aumentará o número de canais e bancos em cada módulo.
Essas diferenças arquitetônicas, bem como outros fatores, como temporizações de memória, latência, gerenciamento de energia e recursos de código de correção de erros (ECC), são fatores que contribuem para a capacidade da Samsung de continuar ultrapassando os limites de velocidade e confiabilidade da memória.