A Samsung está pronta para apresentar sua avançada tecnologia de Memória Quad-Level (QLC) NAND Flash na Conferência Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) de 2024 em São Francisco, que ocorrerá de 18 a 22 de fevereiro. A gigante de tecnologia sul-coreana promete revolucionar o cenário de armazenamento em estado sólido, elevando os limites de densidade e desempenho.
No centro dessa inovação está o novo chip QLC NAND V9 da Samsung, com incríveis 280 camadas, resultando em uma densidade areal sem precedentes de 28,5 gigabits por milímetro quadrado. Isso representa um aumento de 50% na densidade em comparação com os chips Multi-Level Memory (MLC) de 232 camadas da concorrência.
Os chips QLC NAND V9 não apenas ostentam uma densidade notável, mas também oferecem uma velocidade aprimorada, com uma taxa de transferência máxima de 3,2 gigabits por segundo. Isso representa uma melhoria significativa em relação à geração anterior, proporcionando uma taxa de dados 33% mais rápida, atingindo 2,4 gigabits por segundo.
Embora a transferência de dados e o desempenho tenham sido identificados como desafios para SSDs baseados em QLC, a mais recente oferta da Samsung aborda essas preocupações, tornando os novos chips uma solução atraente para unidades de estado sólido PCIe. Com uma taxa de transferência de 3,2 gigabits por segundo, a Samsung busca posicionar-se na vanguarda da indústria de memória Flash.
O compromisso da Samsung com os chips QLC NAND Flash como o futuro do armazenamento em estado sólido é evidente, especialmente à medida que os chips de memória Triple-Level Cell (TLC) se aproximam de sua capacidade máxima. A maior densidade superficial proporcionada pelos chips QLC é esperada para reduzir os custos de fabricação, embora seja reconhecido que a velocidade ainda não é comparável aos SSDs NVMe de ponta vendidos tanto pela Samsung quanto pela concorrência.
A apresentação iminente da Samsung durante o ISSCC deverá confirmar o progresso significativo no desenvolvimento da tecnologia QLC. Os atuais SSDs baseados em QLC frequentemente utilizam grandes memórias cache para mitigar problemas de desempenho, com as velocidades de gravação às vezes caindo para níveis subpar da SATA quando a cache está cheia.
A Samsung enfrenta concorrência no mercado de armazenamento QLC de fabricantes como a Micron, que lançou um chip QLC de 232 camadas com uma densidade de armazenamento de 19,5 gigabits por milímetro quadrado. Além disso, a YMTC está desenvolvendo ativamente uma solução de memória QLC com 232 camadas e uma impressionante densidade de 20,62 gigabits por milímetro quadrado.
Conforme a Samsung revela suas últimas inovações no ISSCC 2024, a indústria de tecnologia aguarda ansiosamente o futuro da tecnologia QLC NAND Flash e seu impacto potencial no cenário de armazenamento em estado sólido.
